
موسفت اي ار اف 4410 يتحمل 100 فولت و 88 امبير side image

موسفت اي ار اف 4410 يتحمل 100 فولت و 88 امبير side image

موسفت اي ار اف 4410 يتحمل 100 فولت و 88 امبير side image
IQD 1,250
IRFB4410 N-Channel MOSFET Transistor 100V 88A TO-220AB
The IRFB4410 is a high-performance N-Channel power MOSFET designed for fast switching and efficient power control in high-current applications. Built using advanced MOSFET technology, it provides low on-resistance and high current handling capability, making it ideal for power switching circuits, motor drivers, DC-DC converters, and battery-powered systems. The device is housed in a TO-220AB through-hole package, which offers good thermal performance and easy mounting on heatsinks for improved heat dissipation.
This MOSFET supports high voltage and current ratings, allowing it to operate reliably in demanding power electronics environments. Its low gate charge and fast switching characteristics help reduce switching losses and improve overall system efficiency. The IRFB4410 is widely used in industrial power systems, automotive electronics, inverters, and switching power supplies where high efficiency and durability are required.
Features:
The IRFB4410 is an N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) featuring high current handling capabilities and low Rds(on) (on-resistance).
It is designed to operate in switching applications, providing high efficiency and fast switching characteristics.
High Current Rating where Capable of handling high currents (up to 88A).
High Breakdown Voltage where Rated at 100V, suitable for medium voltage applications.
Its low gate charge, low on-resistance, and high current rating make it ideal for use in power regulation and motor control circuits.
Low Gate Charge (Qg) where Ensures fast switching speeds, reducing the switching losses.
Thermal Stability where With a TO-220 package, it can dissipate power efficiently.
Specifications:
Specifications:
Parameter Value
Model IRFB4410
Product Type MOSFETs
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Transistor Type N-Channel
Number of Channels 1 Channel
Mounting Style Through Hole
Package/Case TO220AB
Vds-Drain-Source Breakdown Voltage 100V
Id-Continuous Drain Current 88A
Rds On-Drain-Source Resistance 10mΩ
Vgs-Gate-Source Voltage(Max.) – 20 V , + 20 V
Operating Temperature – 55 °C to + 175 °C
Pd-Power Dissipation 250W
منتجات مشابه

بريد بورد مختبري كبير حجم 3220
IQD 20,000

بورد نحاس دبل سايد حجم 20*15 سم من مادة اف ار 4
IQD 4,000

بورد نحاس دبل سايد حجم 10*15 سم من مادة اف ار 4
IQD 2,250

بورد نحاس دبل سايد حجم 5*7 سم من مادة اف ار 4
IQD 750

فيوز دائري 250 فولت بتيارات متغيرة
IQD 250

ايسي بوابات منطقية ملتيبلكسر مدخلين ومخرج واحد
IQD 750

ايسي لوجك شفت رجستر 8 بت رقم 74164
IQD 500

فارستر 470 فولت حجم 7 ملم
IQD 250

سوج روكر ثلاثي الاطراف بمدخل ومخرجين
IQD 250

سوج مفتاج فتح وغلق لون اسود حجم 21*15 ملم
IQD 250

موسفت نوع ان جنل يتحمل بور
IQD 500

مقاومات نصف واط كاربون فلم 10 قطع
IQD 250

جمبر للبن هيدرز قطعتين بالوان مختلفة
IQD 250

ريلي بور بي سي بي 30 بفولتيات تحكم مختلقة 5 - 12 - 24 فولت باطراف عدد 6
IQD 1,500

ريلي بور بي سي بي 30 بفولتيات تحكم مختلقة 5 - 12 - 24 فولت باطراف عدد 6
IQD 1,250

ريلي هاي بور 220 فولت 60 امبير
IQD 7,000

تايمر ايسي رقم ان اي 556 14 رجل
IQD 500

متسعة فائقة السعة ( سوبر كاباسيتر ) 25 فاراد و 2.7 فولت
IQD 3,000

مفتاح توككل احادي القطب يتحمل 250 فولت و 15 امبير
IQD 1,000

سوج ضغط حجم 12ملم * 12ملم ذو بنين
IQD 250

مفتاح بوش بتن ضاغط قطر 7 ملم والحالة الاعتيادية يكون مغلق
IQD 300

بورد مربع مكون من لدات 8 ب 8 ملونة
IQD 4,000

سماعة حجم 40ملم 2 واط 8 اوم
IQD 2,250

فيشة واير قراصة حجم صغير 43 ملم
IQD 250

ليد عالي السطوع نوع بيرانيا 5 ملم بالوان مختلفة
IQD 250

دب سوج ازرق اثنا عشر منفذ
IQD 750

دب سوج ازرق عشر منافذ
IQD 650

دب سوج ازرق تسعاي المنفذ
IQD 600

دب سوج ازرق ثماني المنفذ
IQD 550

دب سوج ازرق سباعي المنفذ
IQD 500